微动力一体化生活污水处理器《资讯》

微动力一体化生活污水处理器

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不作系统冲洗，最长允许停机多久？　　如果系统使用阻后剂，当水温在20～38℃之间，大约4小时；在20℃以下时，大约8小时；如果系统未用阻垢剂，约1天。15. 怎样才能使膜系统的能耗降低？　　采用低能耗膜元件即可，但应注意到它们的脱盐率比标准膜元件略低。反渗透纯水系统能否频繁的启停？　　膜系统是按连续运行作为设计基准的，但在实际操作时，总会有一定频度的开机和停机。当膜系统停机时，必须用其产水或经过预处理合格的水进行低压冲洗，从膜元件中置换掉高浓度但含阻垢剂的浓水。还应采取措施预防系统内水漏掉而引入空气，因为元件失水干掉的话，可能会产生不可逆的产水通量损失。如果停机小于24小时，则无需采取预防微生物滋生的措施。但停机时间超过上述规定，应采用保护液作系统保存或定时冲洗膜系统。紫外线（UV）对于水中病原微生物（比如：隐孢子虫和贾第虫）的消毒十分有效，UV在水中的消毒方式有：水中浸没式和平行悬浮式。波长、功率、悬浮距离、照射时间等是影响消毒效果的主要因素。作用机理主要是核酸（DNA）的最大吸收波长（254nm），DNA能够吸收高能量紫外辐射，引起相邻的碱基错位，形成嘧啶二聚体（pyrimidine dimer），抑制或阻碍核酸复制和蛋白表达，导致细胞凋亡。　　Bukhari等人探讨了中压汞灯对水中隐孢子虫的灭活效果进行了研究，结果显示紫外光的剂量为19mJ/cm2时，隐孢子虫的灭活率可达到99.99%；但由于颗粒的庇护作用，“两虫”的灭活效率会受到影响，石英象一定程度上限制了UV消毒的使用范围。　　可看出紫外消毒具有：消毒速度快、效率高，不影响水的物理性质和化学成分、不增加水的臭和味，操作简单、便于管理、易于实现自动化等优势；但常规汞灯紫外消毒电耗较大，寿命短，浸水式构造复杂，汞二次污染等不足，迫切需要一种新型的替代技术。　　2、UV-LED技术的提出　　发光二极管（LED）一般是先在蓝宝石（Al2O3）衬底上利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备外延生长氮化镓（GaN）材料，然后在GaN材料上外延生长铝铟镓氮（AlInGaN）材料，再依次分别外延生长GaN和AlInGaN，形成GaN和AlInGaN交错的多量子阱结构（MQW），此即为LED发光区的有源层。通过改变MOCVD外延生长条件，可以改变AlInGaN中Al组分、In组分和Ga组分的配比，以此来调节LED的发光波长。　　经过技术攻关，解决表面裂纹、晶体质量差、铝组分低、无法实现短波长发光和结构材料设计等问题，关键技术取得突破后，将可研究开发与获得高结晶质量无裂纹的高铝组分的AlInGaN材料，使其发射出来的是中心波长小于400nm的紫外光，从而制备得到实用的紫外发光二极管（UV-LED）。短波长的UV-LED半导体照明光源具有其它传统紫外光源无法比拟的优势，将其用来杀菌，在此基础上开发的紫外LED杀菌模块应用于水净化处理技术领域，具有杀菌效果好、使用价值高的潜能，其市场应用前景十分广阔。　　由于蓝宝石衬底与GaN、InGaN材料不匹配，造成LED外延层中存在很高的位错密度，降低了LED外延片的质量。这种位错对蓝光LED的影响有限，但对于紫外LED的影响非常大。目前学术界公认的解释是在量子阱中存在点状的局域态，载流子（电子、空穴）一旦被注入到量子阱中，会被这些局域态捕获，并被牢牢的限制在其中，而无法移动到位错处被消耗，如下图所示。而紫外LED中InGaN的In组分很低，难以形成点状局域态，位错对载流子的影响很大，从而限制了紫外LED器件效率的提高。　　正是由于紫外LED材料外延难度比蓝光LED大，所以行业内对紫外LED的研发投入较少，这也导致在这个领域，国外大公司的专利较少，没有形成像可见光LED那样严密的专利壁垒。而且，随着紫外LED的用途得到推广，近年来在系统及封装领域有大量企业加入市场竞争。但是上游外延企业发展却相对缓慢，对紫外LED市场的重视不够。因此对高效紫外LED外延技术进行研发，对实现具有自主知识产权的高效 GaN 基LED 产业化具有十分重要的意义。

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